Память MRAM будет производиться в России
Один из ведущих разработчиков магниторезистивной памяти, компания Crocus Technology, объявила о заключении договора о взаимодействии с Intel в области создания памяти типа MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory), о чём сообщают коллеги с сайта EE Times. Данное сотрудничество позволит обмениваться технологиями и даст общий доступ к патентам, принадлежащим участникам договора, в том числе это касается ключевой разработки фирмы Crocus MLU (Magnetic-Logic-Unit).Следует упомянуть, что компания РОСНАНО согласилась вложить в Crocus Technology около 120 миллионов долларов, при условии, что завод по производству чипов MRAM будет построен на территории Российской Федерации. На этом заводе Crocus и Intel будут выпускать свою совместную продукцию. Начало функционирования завода планируется на 2013 год, и он будет создавать микросхемы, применяемые в различных сферах; это может быть память для компьютеров, блоки управления автомобилей, контроллеры жёстких дисков и даже чипы для банковских карт.
Память MRAM обладает рядом бесспорных преимуществ, таких как высокая скорость, низкое энергопотребление, неограниченное количество циклов чтения-записи и энергонезависимость. Председатель Правления РОСНАНО Анатолий Чубайс уверен, что данное сотрудничество позволит России войти в состав лидеров в только создаваемых, высокотехнологичных секторах промышленности.